IDF 2015: Intel показала память в 1000 раз быстрее обычного флеша

На конференции разработчиков IDF 2015 компании Intel и Micron впервые публично продемонстрировали скорость работы новой энергонезависимой памяти на основе технологии 3D Xpoint (читается как «кросспоинт»).

Разработчики 3D Xpoint считают технологию самым значимым прорывом со времени появления NAND (которая до сих пор лежит в основе флешек и накопителей SSD) — а это случилось больше 25 лет назад. По оценке Intel, новый класс памяти в 1000 раз быстрее, чем NAND, и настолько же надёжнее неё. Но стоит помнить, что если эти красивые цифры и достигаются в реальности, то только в очень редких случаях.

Сегодня же Intel показала, как быстро работает 3D Xpoint в операциях чтения и записи, и сравнила её с одним из самых быстрых своих SSD на основе NAND — моделью P3700. Ранний прототип оказался в 5–7 раз быстрее «классического» конкурента.

Тест производительности Optane

Новая память займёт место где-то между NAND (основа флеш-памяти) и DRAM (основа оперативной памяти) — до скорости последней новая разработка не дотягивает, но при этом энергонезависима. Глава Intel Брайан Кржанич считает, что полностью раскрыть возможности 3D Xpoint можно только изменив архитектуру компьютеров и операционных систем.

На рынке 3D Xpoint появится под брендом Optane в 2016 году, а производить память будут на мощностях Micron.