16.06.2011 11:27

Elpida применяет HKMG при производстве 40 нм памяти

До сих пор нам чаще приходилось слышать об использовании транзисторов с металлизированным затвором и материалов с высоким значением диэлектрической константы при производстве центральных процессоров, но вчера японская компания Elpida сообщила об успешном выпуске первых двухгигабитных микросхем памяти типа DDR2 для мобильных устройств с использованием литографического техпроцесса поколения 40 нм и так называемой технологии HKMG.

Тонкий слой изолирующего материала с высоким значением диэлектрической константы сочетается с металлизированным затвором, что позволяет снизить токи утечки, повысить быстродействие транзисторов и сократить энергопотребление. Компании Elpida первой среди конкурентов удалось преодолеть специфические технологические трудности, которые мешали использовать HKMG в массовом производстве микросхем памяти. Нововведение позволяет существенно снизить энергопотребление памяти в режиме покоя, а также повысить быстродействие транзисторов в 1,7 раза.

Образцы микросхем LPDDR2 с использованием HKMG, выпущенные по 40 нм техпроцессу, будут доступны до конца 2011 финансового года. В дальнейшем Elpida планирует масштабировать эту технологию на микросхемы памяти, выпускаемые по 30 нм и 25 нм техпроцессам.